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首款3D原子級硅量子芯片架構(gòu)問世

作者: 編輯 來源:互聯(lián)網(wǎng) 發(fā)布時間:2019-01-14

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近日消息,據(jù)澳大利亞新南威爾士大學(xué)官網(wǎng)近日報道,該校科學(xué)家證明,他們可以在3D設(shè)備中構(gòu)建原子精度的量子比特,并實現(xiàn)精準的層間對齊與高精度的自旋狀態(tài)測量,最終得到全球首款3D原子級硅量子芯片架構(gòu),朝著構(gòu)建大規(guī)模量子計算機邁出了重要一步。在最新研究中,新南威爾士大學(xué)量子計算與通信技術(shù)卓越中心教授米歇爾·西蒙斯領(lǐng)導(dǎo)研究團隊,將原子級量子比特制造技術(shù)應(yīng)用于多層硅晶體,獲得了這款3D原子級量子芯片架構(gòu)。 西蒙斯解釋說:“對于原子級的硅量子比特來說,這種3D架構(gòu)是一個顯著的進展。為了能夠持續(xù)不斷地糾正量子計算中的錯誤——也是量子計算領(lǐng)域的一個里程碑,我們必須能并行控制許多量子比特。實現(xiàn)這一目標的唯一方法是使用3D架構(gòu),因此在2015年,我們開發(fā)出一個垂直交叉架構(gòu),并申請了專利。然而,這種多層設(shè)備的制造還面臨一系列挑戰(zhàn)?,F(xiàn)在,我們通過新研究證明,幾年前我們設(shè)想的3D方法是可行的。”

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